Na poczatku lat 90-tych ubiegłego stulecia, w pracy zaczeliśmy stosować klucze IGBT, które łaczyły zalety tranzystorów bipolarnych z MOSFET. Jednak i wtedy problem z pojemnościami pomiędzy złaczami półprzwodnikowymi ograniczał układy przetwornic do kilkudziesięciu kHz.
pozdrawiam
Rozumiem. Cała sztuka poszukać na tym aby znaleźć MOSFETa o małej pojemności dren - źródło wtedy się łatwiej takiego gościa steruje
(np. technologia Trench). Wtedy jest łatwiej zapanować nad zjawiskiem prądu skrośnego (jeśli mówimy o układzie pół-mostkowym).
Duża pojemność wejściowa nie jest jakimś super problemem gdyż są dostępne świetne sterowniki MOS o wydajnościach do paru amper, które przełączą takiego MOSa w parędziesiąt ns.
Dobra już więcej się nie wygłupiam bo chyba zbaczamy powoli z tematu